Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingBankKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMOReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
В наличии
частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
В наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45-90, напряжение 1.1 В
В наличии
двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
В наличии
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
В наличии
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-36-36-96, напряжение 1.4 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
В наличии
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-36-36-96, напряжение 1.4 В
В наличии
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-36-36-96, напряжение 1.4 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
![Оперативная память Kingston ValueRam 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [KVR21S15S8/4]](/upload/iblock/29d/29d8cc133081907a20ce70b43a0efbe7.jpg "Оперативная память Kingston ValueRam 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [KVR21S15S8/4]")
В наличии
частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
В наличии
двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В
В наличии
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В