Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMOReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
В наличии
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
В наличии
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19-39, напряжение 1.35 В
![Оперативная память Patriot 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [PSD44G213381S]](/upload/iblock/ce5/ce54a899003c74f4e424722c4dd55733.jpg "Оперативная память Patriot 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [PSD44G213381S]")
В наличии
частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В