Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingBankKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMOReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
89.13 BYN.
89.13 BYN.
В наличии
двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В
40.06 BYN.
40.06 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
66 BYN.
66 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
99.13 BYN.
99.13 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
81.63 BYN.
81.63 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В
18.21 BYN.
18.21 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
65.70 BYN.
65.70 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
27.26 BYN.
27.26 BYN.
В наличии
частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
118.70 BYN.
118.70 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
125.63 BYN.
125.63 BYN.
В наличии
2 модуля, частота 3000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-40, напряжение 1.35 В
![Оперативная память Huawei 16GB DDR4 PC4-19200 [06200213]](/upload/resize_cache/iblock/cde/170_170_1/cde06605e85761932117701f9491783d.jpg "Оперативная память Huawei 16GB DDR4 PC4-19200 [06200213]")
1 377.63 BYN.
1 377.63 BYN.
В наличии
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В
383.25 BYN.
383.25 BYN.
В наличии
48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
386.23 BYN.
386.23 BYN.
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, тайминги 52-52-52, напряжение 1.1 В
525.57 BYN.
525.57 BYN.
В наличии
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В