Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingBankKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMOReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
В наличии
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
В наличии
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-36-36-96, напряжение 1.4 В
В наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
В наличии
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
В наличии
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
![Оперативная память Apacer 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [AS04GFA60CATBGJ]](/upload/iblock/ac8/ac8de7815f4f640f085f09aaeb6b5baa.jpg "Оперативная память Apacer 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [AS04GFA60CATBGJ]")
![Оперативная память Apacer 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [AS04GFA60CATBGJ]](/upload/iblock/296/296a085716dc65a39d429c4a48f0f290.jpg "Оперативная память Apacer 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [AS04GFA60CATBGJ]")
В наличии
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
![Оперативная память AMD 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R744G2400S1S-UO]](/upload/resize_cache/iblock/a35/450_450_0/a35d16bb659564f0d408e5d5ecf9e701.jpg "Оперативная память AMD 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R744G2400S1S-UO]")
В наличии
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В