Заказать звонок
Оперативная память Kingston
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerArktekASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHiksemiHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingBankKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarLyambdaMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMORamaxelReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
В наличии
частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
В наличии
4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
В наличии
32 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.35 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
В наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
В наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, тайминги 52-52-52, напряжение 1.1 В
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
В наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В