Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память Samsung
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMOReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
611.84 BYN.
611.84 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
192.08 BYN.
192.08 BYN.
В наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
186.89 BYN.
186.89 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
354.45 BYN.
354.45 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
92.50 BYN.
92.50 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
1 392.25 BYN.
1 392.25 BYN.
В наличии
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
446.71 BYN.
446.71 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [M471A5143EB0-CPB]](/upload/iblock/454/10h13x789oqajula32gzzbpidgcbw6jf.jpg "Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [M471A5143EB0-CPB]")
32.78 BYN.
32.78 BYN.
В наличии
частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
3 008 BYN.
3 008 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
161.41 BYN.
161.41 BYN.
В наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 343.10 BYN.
1 343.10 BYN.
В наличии
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
586.32 BYN.
586.32 BYN.
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
3 403.05 BYN.
3 403.05 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
69.86 BYN.
69.86 BYN.
В наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В