Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память Samsung
SamsungA-DataAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHikvisionHPHuaweiHynixHyperXInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMOReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTerraMasterThermaltakeTranscendТМИ
766.05 BYN.
766.05 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
80.05 BYN.
80.05 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
182.63 BYN.
182.63 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
330.36 BYN.
330.36 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
93.65 BYN.
93.65 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
3 274.40 BYN.
3 274.40 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
310 BYN.
310 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
3 328.73 BYN.
3 328.73 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
630.61 BYN.
630.61 BYN.
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
342.50 BYN.
342.50 BYN.
В наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
670.29 BYN.
670.29 BYN.
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
393.81 BYN.
393.81 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
789.62 BYN.
789.62 BYN.
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
136.87 BYN.
136.87 BYN.
В наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
913.86 BYN.
913.86 BYN.
В наличии
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В