Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память Samsung
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerArktekASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHiksemiHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingBankKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarLyambdaMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMOReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
В наличии
128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
В наличии
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
В наличии
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
В наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
В наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
В наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
![Оперативная память Samsung 16GB DDR3 PC3-12800 [M393B2G70QH0-YK0]](/upload/iblock/8c2/8c20ac23082a8b41fbe52c4ac33fcb51.jpg "Оперативная память Samsung 16GB DDR3 PC3-12800 [M393B2G70QH0-YK0]")
Нет в наличии
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 10T, напряжение 1.2 В