Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память Samsung
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerArktekASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHiksemiHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingBankKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarLyambdaMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMORamaxelReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
В наличии
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
В наличии
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
В наличии
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
В наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
В наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
В наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В