Общая информация | |
Дата выхода на рынок | 2019 г. |
Основные | |
Объём | 512 ГБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Технические характеристики | |
Аппаратное шифрование | Нет |
Скорость последовательного чтения | 1 700 МБ/с |
Скорость последовательной записи | 1 550 МБ/с |
Средняя скорость случайного чтения | 270 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 340 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 3.3 Вт (макс.) |
Энергопотребление (ожидание) | 0.0018 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 1 500 000 ч |
Ресурс записи | 800 TBW |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Толщина | 2.3 мм |
Охлаждение | Нет |
Изготовитель: -
Поставщик в РБ: ООО МультикомБай, г.Минск,ул.Тимирязева, д.67, пом.21
Сервисный центр: ООО МультикомБай, г.Минск,ул.Тимирязева, д.67, пом.21
Страна сборки: КИТАЙ
Поставщик в РБ: ООО МультикомБай, г.Минск,ул.Тимирязева, д.67, пом.21
Сервисный центр: ООО МультикомБай, г.Минск,ул.Тимирязева, д.67, пом.21
Страна сборки: КИТАЙ