Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память Samsung
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerArktekASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHiksemiHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingBankKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarLyambdaMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMORamaxelReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
Нет в наличии
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
841.42 BYN.
841.42 BYN.
Нет в наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
4 397.96 BYN.
4 397.96 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19
Нет в наличии
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 510.69 BYN.
1 510.69 BYN.
Нет в наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
12.68 BYN.
12.68 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
372.35 BYN.
372.35 BYN.
Нет в наличии
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
206.32 BYN.
206.32 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
116.77 BYN.
116.77 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 1866 МГц, напряжение 1.5 В
![Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM CPC3-12800 [M471B5173EB0-YK0]](/upload/iblock/7ae/7ae7d42bcf31093c7cc44bfba3487611.jpg "Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM CPC3-12800 [M471B5173EB0-YK0]")
Нет в наличии
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
246.36 BYN.
246.36 BYN.
Нет в наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
248.69 BYN.
248.69 BYN.
Нет в наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
931.60 BYN.
931.60 BYN.
Нет в наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В