Ваша корзина пуста
Выберите в каталоге интересующий товар
и нажмите кнопку «В корзину».
Перейти в каталог
и нажмите кнопку «В корзину».
Заказать звонок
Оперативная память Samsung
SamsungA-DataA4TechAcerADATAAdvantechAFOXAGIAMDApacerArktekASUSTORAxleBiwinCBRCiscoCorsairCrucialDahuaDellDigmaExeGateFlexisFoxlineFUJITSUG.SkillGeILGigabyteGOODRAMHiksemiHikvisionHPHuaweiHynixHyperXIndilinxInfortrendInnodiskIntelKimtigoKingBankKingmaxKingSpecKingstonLenovoLexarLyambdaMicronNanyaNCPNeo ForzaNetacOCPCPATRIOTPNYQNAPQUMORamaxelReShieldSilicon-PowerSmartBuySupermicroSynologyTeamTecmiyoTerraMasterThermaltakeTranscendГравитонТМИ
3 731.05 BYN.
3 731.05 BYN.
Нет в наличии
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Нет в наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
Нет в наличии
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
246.36 BYN.
246.36 BYN.
Нет в наличии
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Нет в наличии
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [M471A5143EB0-CPB]](/upload/iblock/454/10h13x789oqajula32gzzbpidgcbw6jf.jpg "Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [M471A5143EB0-CPB]")
32.88 BYN.
32.88 BYN.
Нет в наличии
частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [M471A5143EB0-CPB]](/upload/iblock/ad6/ad6756d27f4e5277167a4e96994e642c.jpg "Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [M471A5143EB0-CPB]")
Нет в наличии
частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B1G73QH0-YK0]](/upload/iblock/68d/68d47a10eec64b45f1514cc303afee8d.jpg "Оперативная память Samsung 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B1G73QH0-YK0]")
Нет в наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
224.49 BYN.
224.49 BYN.
Нет в наличии
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
Нет в наличии
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
505.96 BYN.
505.96 BYN.
Нет в наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Нет в наличии
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5173BH0-YK0]](/upload/iblock/195/195182905906bcaec421f04246d664fb.jpg "Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5173BH0-YK0]")
Нет в наличии
одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
262.38 BYN.
262.38 BYN.
Нет в наличии
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Нет в наличии
1 модуль, частота 667 МГц